Транзисторы разделяются на типы (подтипы) по классификационным параметрам. Например, маломощные низкочастотные и среднечастотные транзисторы классифицируются по таким параметрам, как коэффициент усиления по току и предельная частота усиления или генерации. В отдельных случаях особо выделяют шумы преимущественно первых каскадов, работающих на малых сигналах. На высокой частоте коэффициенты усиления тока становятся комплексными величинами (так же как и другие Н-параметры). Усилительные свойства транзисторов на высокой частоте характеризуются модулем коэффициента усиления тока |а(альфа)|, |H21б| или |В]. Частота, на которой значение |H21б| уменьшается на 3 дБ (около 30%) по сравнению с |H21б|, измеренным на низкой частоте, называется предельной частотой усиления тока f". Модуль усиления тока в схеме ОЭ уменьшается с ростом частоты более заметно, чем в схеме ОБ. В некоторой области частот параметр |H21б| обратно пропорционален частоте: |H21э|=Fт/F. Частота Fт, - граничная частота усиления тока базы. На этой частоте модуль |H21э| равен 1. Имеет место приближенное соотношение: fа=mFт, где т=2 для бездрейфовых m =1,6 для дрейфовых транзисторов.
К малосигнальным параметрам относятся также емкости переходов транзистора. Емкость коллекторного перехода С, - емкость, измеренная между коллекторным и базовым выводами транзистора при отключенном эмиттере и обратном смещении на коллекторе. Емкость эмиттерного перехода С, - емкость, измеренная между выводами эмиттера и базы при отключенном коллекторе и обратном смещении на эмиттере. Значения емкостей Сk и С, зависят от приложенного напряжения. Если, например, указано значение Ск при напряжении U, то емкость Сkx при напряжении U, можно найти из приближенной формулы: Сkx = Ck(U/Ux)m, где m определяется таким же образом, как и в формуле (4.5).
Максимальная частота генерации Fмакс - наибольшая частота автоколебаний в генераторе на транзисторе. С достаточной точностью можно считать, что Fмакс - частота, на которой коэффициент усиления транзистора по мощности равен единице. Она связана с другими параметрами малого сигнала приближенным соотношением:
Коэффициент шума Кш - отношение полной мощности шумов на выходе транзистора к части мощности, вызываемой тепловыми шумами сопротивления источника сигнала. Коэффициент шума выражается в децибелах. Его значение дается для определенного частотного диапазона. Для большинства транзисторов минимальные шумы наблюдаются при работе на частотах 1000...4000 Гц. На высоких и низких частотах шумы увеличиваются. Обычно минимальное значение Рш соответствует малым токам коллектора (0,1...0,5 мА) и малым коллекторным напряжениям (0,5...1,5 В). Шумы резко увеличиваются при повышении температуры. Приводимые в справочных данных значения Рш относятся к оптимальному внутреннему сопротивлению источника сигнала и режиму работы, которые и следует использовать при проектировании малошумящих усилителей.
Параметры большого сигнала характеризуют работу в режимах, при которых токи и напряжения между выводами транзистора меняются в широких пределах. Эти параметры используются для расчета ключевых схем, предоконечных и оконечных усилителей низкой и высокой частоты, автогенераторов. Статический коэффициент усиления по току: Вст=(Ik-Iko)/(Iб+Iko). В рассматриваемом случае ток коллектора Ik и ток базы Iб существенно превосходят тепловой ток коллектора Iko, поэтому на практике пользуются формулой: Вст=Ik/Iб
Статическая крутизна прямой передачи Sст - отношение постоянного тока коллектора к постоянному напряжению на входе транзистора. Параметр Sст используется для транзисторов средней и большой мощности, работающих в схемах, где источник входного сигнала имеет малое внутреннее сопротивление.
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора в режиме насыщения Uкн измеряется при определенном значении коллекторного и базового токов или определенной глубине насыщения. Глубина насыщения - это отношение прямого тока базы к току, при котором транзистор находится на границе насыщения. Напряжение между базой и эмиттером транзистора в режиме насыщения Uбэн измеряется при тех же условиях, что и напряжение Uкн.
Время рассасывания Тр - интервал времени между моментом подачи на базу транзистора запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе достигает уровня (0,1...0,3)Ек (Ек - напряжение питания коллекторной цепи). Время рассасывания зависит от глубины насыщения транзистора и измеряется при оп-ределенном значении коллекторного и базового токов.
